传统嵌入型正极材料的能量存储主要依赖于过渡金属阳离子的氧化还原反应，其固有的单电子转移特性严重制约了正极材料的比容量，例如目前商用的锂离子电池三元正极的比容量已逼近理论极限。激活阴离子氧化还原反应为实现多电子转移提供了可靠途径，有望突破现有正极材料的比容量和比能量瓶颈。然而，该过程伴随着阴离子的价态变化，极易引发局域配位环境的失稳、晶格氧析出等问题，进而导致正极结构退化和离子存储性能衰减。我们致力于理解层状正极材料中阴离子参与的氧化还原过程及多电子反应机理，并通过能带结构调控和界面层构筑，实现可控的阴离子氧化还原反应和可逆的多电子转移过程，最终发展具有高比容和高比能的正极材料。